p沟道mos管sot-23 耗尽型mos管

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定

义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（fet），把输入电压的变化转化为输出电

流的变化。fet的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。Zui普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应（mosfet）。

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本产品的品牌是其他IC，型号是AGILENT，种类是结型(JFET)，沟道类型是P沟道，导电方式是增强型，用途是MOS-INM/独立组件，封装外形是CER-DIP/陶瓷直插，材料是IGBT绝缘栅比极，功率是11，批号是HCPLM601，封装是11